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摘要:
论述了:1)使用本征导电性硅环作为籽晶,采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制等径的具有p型、n型或本征导电性的硅管;2)用p型或n型硅管作为化学西门子法还原炉中的热载体,当载体加热温度在1050 ~ 1100℃时,还原炉内高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上,制备纯度99.99999%以上的本征或导电性的硅管多晶硅;3)用本征导电性的硅管作为容器,装入纯度大干99.99%的物理冶金法生产的原料硅,采用区熔单晶硅炉,用悬浮区域炼熔法对硅管多次定向凝固,利用分凝效应制备纯度大于99.9999%的硅管太阳能级多晶硅棒.
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文献信息
篇名 硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备
来源期刊 太阳能 学科
关键词 硅管 硅管西门子多晶硅 硅管物理冶金多晶硅
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 技术产品与工程
研究方向 页码范围 47-51,68
页数 6页 分类号
字数 6323字 语种 中文
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太阳能
月刊
1003-0417
11-1660/TK
16开
北京市海淀区花园路3号
2-164
1980
chi
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