H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si：H/nc-Si：H薄膜的光电特性的影响

• 作者: 刘韦颖 王继岷 程自亮 蒋向东 连雪艳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 485-488
• 页数: 4页
• 分类号: TB742|O756
• 字数: 2856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.03.003

摘要

研究了H2稀释比对a-Si：H/nc-Si：H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法，以高纯SiH4及H2/SiH4混合气体为反应气源交替反应制备样品，并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明：在纳米级厚度的a-Si：H薄膜基础上，随着第二反应气H2/SiH4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高，沉积速率持续下降，薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象，结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋向东	电子科技大学光电信息学院	34	154	6.0	10.0
2	王继岷	电子科技大学光电信息学院	14	51	4.0	6.0
3	程自亮	电子科技大学光电信息学院	3	2	1.0	1.0
4	刘韦颖	电子科技大学光电信息学院	4	2	1.0	1.0
5	连雪艳	电子科技大学光电信息学院	4	2	1.0	1.0