Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响

• 作者: 全知觉 刘文 张建立 武芹 江风益 王立
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si衬底 偏角 GaN MOCVD
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 466-471
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|O484.4
• 字数: 2562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153604.0466

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°～0.9°)的Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXRD、原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对外延薄膜的晶体质量、量子阱中In组分、表面形貌及光学特性进行了研究.结果表明,Si(111)衬底偏角对量子阱中的In组分、GaN外延膜的表面形貌、晶体质量以及光学性能具有重大影响.为了获得高质量的GaN外延薄膜,衬底偏角必须控制在小于0.5°的范围内.超出该范围,GaN薄膜的晶体质量、表面形貌及光学性能都明显下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	7	49	3.0	7.0
2	江风益	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	60	527	12.0	19.0
3	张建立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	6	2.0	2.0
4	全知觉	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	5	10	3.0	3.0
5	武芹	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0