质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究?

• 作者: 任迪远 刘昌举 文林 曾骏哲 李豫东 汪波 玛丽娅 郭旗
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 084209-1-084209-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.084209

摘要

对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 MeV质子辐射试验，当辐射注量达到预定注量点时，采用离线的测试方法，定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明，随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS (multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量，在与γ辐射试验数据对比的基础上，结合器件结构和工艺参数，建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型，深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明，对该国产器件而言，电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.