低剂量 Ga＋辐照对 CoFe/IrMn 双层膜结构和磁性能的影响

• 作者: 刘泛函 祁先进 祝星 黄晓艳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子辐照 交换偏置场 界面粗糙度 织构 磁性能
• 年，卷（期）: 2015,（21）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 21081-21084,21088
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 2853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.21.017

摘要

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5 nm)/Co75 Fe25(5 nm)/Ir20 Mn80(12 nm)/Ta(8 nm)双层膜，通过 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)等分析测试手段，研究了低剂量 Ga＋离子辐照对双层膜结构和磁性能的影响；通过样品在反向饱和场下停留时间研究了低剂量 Ga＋离子辐照对双层膜的磁稳定性的影响；并利用 SRIM2003软件模拟分析了离子辐照后 Ga 元素在 IrMn 层中的深度分布。结果表明，低剂量 Ga＋离子辐照对双层膜中反铁磁层 IrMn 的〈111〉方向织构影响甚微；而双层膜的交换偏置场以及界面粗糙度随着 Ga＋离子辐照剂量的增大而减小；低剂量 Ga＋离子辐照后双层膜磁稳定性降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝星	昆明理工大学冶金与能源工程学院	17	82	6.0	9.0
5	祁先进	昆明理工大学冶金与能源工程学院	7	126	4.0	7.0
9	黄晓艳	昆明理工大学冶金与能源工程学院	6	16	1.0	4.0