温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响

• 作者: 伍斌 史志锋 崔夕军 庄仕伟 张宝林 张源涛 张金香 杜国同 董鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO MOCVD 成核 薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 408-412
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153604.0408

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究.ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜.最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量.