(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能

• 作者: 张万里 张宇新 蒋洪川 蔡贤耀 邓新武 闫裔超
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 磁控溅射 (B/Ti)n/TaN膜桥 TaN膜桥 B/Ti多层膜
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 265-269
• 页数: 5页
• 分类号: TJ55|O69
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11943/j.issn.1006-9941.2015.03.012

摘要

利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80 μm×40 μm×2 μm,B/Ti多层膜尺寸为4 mm×4 mm,层数为40层,第一层B厚度400 nm,其后每层B或Ti厚度为200 nm,总厚度约8μm.用电压40 V、电容47μF的钽电容对样品进行发火性能测试.结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85μs、点火输入能量15 mJ、爆炸温度2500 ～3500 K、火焰持续时间0.15 ms左右、炸药持续高度5 mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37 μs、点火输入能量6 mJ、爆炸温度4000 ～8500 K、火焰持续时间大于0.25 ms、火焰持续高度10 mm以上.在点火桥上沉积B/Ti多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	17	97	5.0	9.0
2	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
3	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
4	闫裔超	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	19	2.0	4.0
5	蔡贤耀	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	张宇新	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0