TiO2薄膜的硼掺杂对TiO2/p+-Si异质结器件电致发光的增强

• 作者: 朱辰 李东升 杨德仁 沙一平 赵泽钢 马向阳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2薄膜 硼掺杂 异质结 电致发光
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 389-394
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|TN304
• 字数: 3955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153604.0389

摘要

利用磁控溅射在重掺硼硅(p+-Si)衬底上分别沉积TiO2薄膜和掺硼的TiO2(TiO2∶B)薄膜,并经过氧气氛下600℃热处理,由此形成相应的TiO2/p+-Si和TiO2∶B/p+-Si异质结.与TiO2/p+-Si异质结器件相比,TiO2∶ B/p+-Si异质结器件的电致发光有明显的增强.分析认为:TiO2∶B薄膜经过热处理后,B原子进入TiO2晶格的间隙位,引入了额外的氧空位,而氧空位是TiO2/p+-Si异质结器件电致发光的发光中心,所以上述由B掺杂引起的氧空位浓度的增加是TiO2∶B/p+-Si异质结器件电致发光增强的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0
4	朱辰	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	25	3.0	4.0
5	沙一平	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
6	赵泽钢	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	4	1.0	2.0