Cl2和SF6混合气体对a-Si刻蚀反应的研究

• 作者: 丁欣 侯智 刘建辉 刘祖宏 吴代吾 王轶南 金相秦 陈甫
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀速率 等离子刻蚀 非晶硅 光谱分析
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 等离子体技术
• 页码范围: 100-104
• 分类号: TN7873|TN27|TN107
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.01.18

摘要

对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6作为刻蚀反应气体实现.为了保证刻蚀速率并节省工艺循环时间,同时又控制用气成本,需要获取最佳的气体使用量.本文通过调整Cl2和SF6的用量,研究了a-Si的刻蚀速率和均匀性的变化关系.研究表明,当Cl2用量大于5000 mL/min时,刻蚀速率无明显变化;当SF6少量增加时也能够加速a-Si刻蚀.同时,通过光谱分析系统对a-Si和光刻胶的刻蚀反应进行了分析,与刻蚀率测试结果相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖宏		3	12	2.0	3.0
2	侯智		3	12	2.0	3.0
3	吴代吾		1	0	0.0	0.0
4	丁欣		2	2	1.0	1.0
5	王轶南		1	0	0.0	0.0
6	陈甫		2	0	0.0	0.0
7	刘建辉		1	0	0.0	0.0
8	金相秦		1	0	0.0	0.0