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摘要:
由于电流聚集,在倒装芯片封装技术中,电迁移已经成为一个关键的可靠性问题。分析了电迁移力和电迁移中值失效时间,采用二维模型研究了电流密度和焦耳热在倒装芯片互连结构中的分布以及影响电流密度和焦耳热分布的因素。结果表明铝线(Al)和凸点下金属层(UBM)的厚度对电流密度和焦耳热分布有很大的影响。
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关键词热度
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文献信息
篇名 倒装芯片互连结构中电流聚集研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 倒装芯片 电流密度 可靠性 焦耳热 空洞 集成电路
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 85-89
页数 5页 分类号 TG604
字数 2004字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.03.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘培生 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 35 147 7.0 9.0
2 卢颖 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 13 56 4.0 6.0
3 杨龙龙 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 9 42 3.0 6.0
4 刘亚鸿 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 7 14 3.0 3.0
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研究主题发展历程
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倒装芯片
电流密度
可靠性
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空洞
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
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