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摘要:
为了研究SMD石英晶体的抗高过载能力,采用自由式霍普金森压杆对7050、6035、5032、3225、3225(一级加固)、3225(二级加固)六种型号SMD石英晶体进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,在高过载条件下,SMD 石英晶体的抗高过载性能随尺寸减小而不断提高,并且产品经历高过载环境后电气参数的不良率逐步降低。未经过加固处理的各型号SMD石英晶体(7050、6035、5032、3225)经过高过载试验(50000~80000 g)后,电气参数均出现超差,不能满足武器系统的要求。经过加固处理的SMD石英晶体样品(3225一级加固、3225二级加固)经过高过载试验可以正常工作。
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文献信息
篇名 SMD石英晶体抗高过载性能的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 SMD石英晶体 高过载 霍普金森压杆 结构设计 加固 电气参数
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 81-84
页数 4页 分类号 TM229.1
字数 1890字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈瑞琪 南京理工大学化工学院 171 1017 16.0 20.0
2 刘卫 南京理工大学化工学院 10 27 4.0 5.0
3 臧小为 南京理工大学化工学院 5 25 3.0 5.0
4 王岩 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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SMD石英晶体
高过载
霍普金森压杆
结构设计
加固
电气参数
研究起点
研究来源
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研究去脉
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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