半导体静电保护装置技术综述

• 作者: 何惠清 吴朦朦 徐玮 徐超
• 来源期刊: 电视技术
• 学科: 社会科学
• 关键词: 半导体 静电保护 ESD 法拉第 屏蔽 接地 中和
• 年，卷（期）: 2015,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术研究
• 页码范围: 276-278
• 页数: 3页
• 分类号: G306
• 字数: 2136字
• 语种: 中文

摘要

静电(ESD)的危害对电子产品的质量和性能有着较大影响,电子器件受到静电损伤后,其工作稳定性及使用寿命均有明显下降.从专利文献的视角对半导体静电保护装置技术的发展进行了全面的统计分析,总结了与半导体静电保护装置相关的专利申请趋势,主要申请人分布,介绍了其重点技术分支及其发展历程,最后针对静电防护装置的发展给出了相应的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玮	国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心电学发明审查部	3	1	1.0	1.0
2	吴朦朦	国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心电学发明审查部	2	0	0.0	0.0
3	何惠清	国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心电学发明审查部	1	0	0.0	0.0
4	徐超	国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心电学发明审查部	1	0	0.0	0.0