硒化锌的化学机械抛光研究

• 作者: 吴传超 安永泉 张瑞 杨常青 王志斌
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnSe晶片 化学机械抛光 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 61-65
• 页数: 5页
• 分类号: O786
• 字数: 1624字
• 语种: 中文

摘要

采用化学机械抛光(CMP)的方法,自制抛光液作为研磨介质,对(50×50×1.5)mm3硒化锌(ZnSe)晶片抛光.通过分析抛光液的pH值、抛光盘转速、抛光液的磨料浓度、压力、抛光时间和抛光液流量等参数对CMP的影响,组合出最佳工艺参数,并通过原子力显微镜和平晶测试方法对最佳工艺参数获得的ZnSe晶片进行测试,实验结果显示,ZnSe晶片抛光后的表面粗糙度Ra为0.578 nm,平面面形误差小于1.8 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志斌		148	757	13.0	18.0
5	张瑞		5	12	2.0	3.0
6	吴传超		2	14	2.0	2.0
7	安永泉		2	14	2.0	2.0
8	杨常青		1	10	1.0	1.0