基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能

• 作者: 刘丽 王洪 胡晓龙 蔡镇准
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 垂直结构LEDs 混合型量子阱 效率下降
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 639-644
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1|TN312+.8
• 字数: 3365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153606.0639

摘要

为解决GaN基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs.与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 mA输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0％,并有更好的电流响应效率.同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7％和67.5％,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心	61	412	10.0	18.0
2	刘丽	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心	15	48	4.0	6.0
3	胡晓龙	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心	10	35	3.0	5.0
4	蔡镇准	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0