衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 宋肇宁 彭柳军 杨培志 杨雯 自兴发 陈小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Zn(O,S)薄膜 磁控共溅射 衬底温度 光电性能
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 38-42,54
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3819字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5％;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.