方波脉冲下纳米氧化铝掺杂对聚酰亚胺介电性能的影响

• 作者: 刘洋 古圳 吴广宁 罗杨 高国强
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: PI/Al2O3复合薄膜 电晕老化 介电频谱 介电温度谱 SEM分析 平均放电量
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘
• 页码范围: 1929-1935
• 页数: 7页
• 字数: 3491字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2015.06.022

摘要

为了研究方波条件下纳米A12O3对PI膜介电性能的影响,将粒径为60 nm的A12O3纳米粒子作为无机填料添加到PI基体中,制作了掺杂量质量分数为1％,2％,5％,7％,10％的PI薄膜.测量了PFA12O3薄膜耐电晕性能和介电温度谱以及介电频谱,并用SEM镜观察了放电前后PFAl2O3薄膜微观形貌.研究结果表明:A12O3纳米粒子的掺入提高了复合薄膜的耐电晕性能;PFAl2O3复合薄膜的相对介电常数(εr)与介质损耗正切(tanδ)值随着A12O3含量升高而升高,其taδ值随着频率的增加先减小后增大,在200Hz处有最小值.在同一频率下,PI/A12O3薄膜εr和tanδ表现出对温度的依赖性,tanδ在70℃与170℃附近出现两个峰值;且随着A12O3含量的增高,tanδ介电峰向高温方向移动.PI基体中高分子链缠结在纳米粒子周围,纳米粒子所引入的界面以及在聚合物中表现的“钉扎效应”是影响PI/Al2O3复合薄膜介电性能的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁	西南交通大学电气工程学院	458	6939	39.0	56.0
2	高国强	西南交通大学电气工程学院	98	908	19.0	27.0
3	罗杨	西南交通大学电气工程学院	30	555	16.0	23.0
4	刘洋	西南交通大学电气工程学院	63	327	10.0	16.0
5	古圳	西南交通大学电气工程学院	10	55	3.0	7.0