多孔硅层结构和氧含量分布对电子发射特性的影响

• 作者: 何力 张小宁 张霄 王文江
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅电子源 电化学腐蚀 电化学氧化 氧含量分布
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 1041-1046
• 分类号: O613.72|TN104.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.09.02

摘要

为了研究较厚的多孔硅层结构及氧化分布对电子发射特性的影响,采用恒流和脉冲腐蚀制备了单层和多层结构的多孔硅,并对这两种结构的多孔硅分别进行定场强和变场强电化学氧化.根据扫描电子显微镜和X射线能谱仪对多孔硅结构和氧含量分布的测量结果,以及对电子发射特性和所提出的多孔硅电子源模型的比较和分析,结果发现:孔隙率交替变化的多层多孔硅结构可以优化电场分布,变场强的电化学氧化使氧含量分布均匀,电子在发射时可以得到持续加速和收敛.单层结构的多孔硅经过定场强电化学氧化后,氧含量分布上层高而下层低,电子不能得到持续加速且具有散射的特点.变场强氧化的多层多孔硅电子发射特性优于定场强氧化的单层多孔硅电子源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张小宁	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	37	116	6.0	8.0
2	王文江	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	14	57	4.0	7.0
3	何力	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	3	55	2.0	3.0
4	张霄	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0