LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

• 作者: 刘石勇 朱登华 李旺 杜国平 牛新伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低压化学气相沉积 B掺杂ZnO 透明导电薄膜 方块电阻 光学减反
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 19-23,37
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3396字
• 语种: 中文

摘要

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响.结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现“类金字塔”的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200 ～ 500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28 Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15％明显降低至5％左右,表现出优异的光学减反性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国平	南昌大学材料科学与工程学院	11	105	6.0	10.0
2	刘石勇		9	20	2.0	4.0
4	李旺		3	18	2.0	3.0
8	牛新伟		6	19	2.0	4.0
9	朱登华	南昌大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0