退火对高压烧结Gd掺杂Bi2Te2.7Se0.3纳米晶热电性能的影响

• 作者: 张艳华 徐桂英 王松 邹平
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料 高压烧结 退火 热电性能
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 950-955
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

以Bi粉、Te粉、Se粉、SbI3粉、Gd粉为原料,用高压烧结法制备了Gd掺杂的n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料,对制备的样品分别在573、603、633 K真空退火36 h.用粉末XRD和FE-SEM研究了样品的物相及显微形貌;在298～473K范围内测定了样品的热电性能.建立了Bi2Te3基材料的禁带宽度与压力和体积的近似关系式,利用此关系式较好解释了高压烧结样品在退火前后热电性能的变化特性.研究结果表明制备的样品在退火前后均为纳米结构.高压烧结和Gd掺杂使样品晶胞尺寸变大,禁带宽度减小.退火使高压烧结样品的电导率提高,塞贝克系数增大,热导率降低.样品于633 K退火36h后具有较好的热电性能,在423 K时其ZT达到最大值为0.74.