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Effects of Film Thickness and Ar/O2 Ratio on Resistive Switching Characteristics of HfOx-Based Resistive-Switching Random Access Memories
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摘要：
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| 篇名 | Effects of Film Thickness and Ar/O2 Ratio on Resistive Switching Characteristics of HfOx-Based Resistive-Switching Random Access Memories | ||
| 来源期刊 | 中国物理快报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | @@ | ||
| 年，卷（期） | 2015,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 125-128 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/0256-307X/32/1/016801 | ||
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期刊影响力
中国物理快报(英文版)
主办单位：
中国物理学会
出版周期：
月刊
ISSN：
0256-307X
CN：
11-1959/O4
开本：
16开
出版地：
北京中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
eng
出版文献量（篇）
14318
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