PI柔性衬底上Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的常温制备及特性研究

• 作者: 宋伟杰 朱超挺 李佳 谭瑞琴 车丙晨 黄琦金
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GZO薄膜 射频磁控溅射 光电特性 PI柔性衬底
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1507-1512
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.12.19

摘要

采用射频(RF)磁控溅射技术在室温条件下制备了基于柔性PI衬底上不同氧化镓(Ga2O3)掺杂浓度的ZnO(GZO)薄膜.研究发现,在Ga2O3掺杂浓度为5％(质量比)情况下,制备的GZO薄膜具有最优化的光电特性,其对应电阻率为5.85×10-4Ω·cm,Hall迁移率为14.6 cm2·V-1 ·s-1,载流子浓度为7.33×100 cm-3,可见光区平均透过率为86.5％.经过1000次弯折测试后,垂直于折痕方向的电阻明显增大,而平行于折痕方向的电阻变化相对较小.基于以上结果,可以得出所制备的GZO薄膜具备优异的光电特性,有望应用于各种柔性光电设备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佳	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	90	658	14.0	22.0
2	宋伟杰	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	30	127	6.0	9.0
3	谭瑞琴	宁波大学信息科学与工程学院	10	68	4.0	8.0
4	黄琦金	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	5	13	3.0	3.0
5	朱超挺	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	3	10	1.0	3.0
6	车丙晨	宁波大学信息科学与工程学院	2	3	1.0	1.0