100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

• 作者: 尹志军 张朱峰 高汉超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs赝配高电子迁移晶体管 分子束外延 控制 稳定性
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 567-570
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2114字
• 语种: 中文

摘要

研究了100 mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制.通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性.12个样品方阻的标准差为0.53％,全部偏差1.66％.通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹志军	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	11	40	4.0	6.0
2	高汉超	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	2	1.0	1.0
3	张朱峰	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	1	0	0.0	0.0