基于半导体开关的高重频LTD

• 作者: 江伟华
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 脉冲功率 电力电子 高电压 脉冲调制 气体放电 等离子体
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率专题
• 页码范围: 1776-1780
• 页数: 5页
• 字数: 2638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2015.06.002

摘要

脉冲功率的工业应用需要紧凑、灵活、稳定的脉冲功率源.高重频LTD是以此为目的发展的新技术,它所代表的脉冲叠加法与传统的脉冲压缩法存在很大的差异.本文介绍基于半导体开关的高重频LTD的基本方法和典型的实验结果.该LTD系统由30个模块构成,每个模块采用24个MOSFET作为开关.实验结果表明:该LTD系统可以产生最高29 kV的输出电压和240 A的输出电流;脉冲宽度在50～170 ns范围内任意可调;控制模块的开关顺序可以方便地组合出不同的波形.LTD的模块化趋势和它的输出波形可调性是其主要优势,而在能量效率上有待进一步改善.