Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制?

• 作者: 李成 汪建元 陈松岩
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多层Ge量子点 近红外光电探测器 UHV/CVD系统 自组织生长
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 660-664
• 页数: 5页
• 分类号: TN364.1
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2015.05.009

摘要

采用超高真空化学气相沉积( UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。 PIN探测器结构由N型Si衬底，多层Ge量子点吸收区，和原位掺杂P型Si盖层构成，电极分别制作于N-Si和P-Si上，以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6 A/cm2)，与Si相比，探测波长延伸到1.31μm波段。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理与机电工程学院	68	248	8.0	12.0
2	李成	厦门大学物理与机电工程学院	45	140	7.0	11.0
3	汪建元	厦门大学物理与机电工程学院	3	6	1.0	2.0