我国有望解决锗基石墨烯应用难题

• 来源期刊: 中国粉体工业
• 学科: 工学
• 关键词: 氟化石墨 应用 国家重点实验室 锗 MOSFET 信息功能材料 界面特性 中国科学院
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 52-52
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质／沟道界面钝化层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质／沟道界面不稳定的难题。