以 Si 粉和 Ni(NO 3)2.6 H 2 O 为原料,制备具有包覆结构的 Si-Ni 粉体,后经共晶生长析出具有自分散特征的硅纳米线(silicon nano wires,SiNWs)粉体.该粉体的成功制备有效解决了传统 SiNWs 易于缠绕和团聚的难题,使得SiNWs复合功能材料的制备成为可能.研究结果表明,SiNi 摩尔比和 Si 粒径对镍包硅结构粉体、SiNWs 的数量等生长动力学过程有重要的影响.采用粒径为74μm 的 Si 粉获得的SiNWs呈线状,且当共晶反应温度为950℃,保温时间为120 min,n (Si)∶n (Ni)=2∶1,获得的SiNWs分布均匀,占总体积的80%.若采用球磨法将 Si 粉的粒径细化至100 nm,则可获得以 Si 核为中心呈径向不断生长的 SiNWs 粉体,单根直径约150 nm,长度约1.5μm,具有很好的自分散性.