InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究

• 作者: 蒋涛 郑定山
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 InP纳米线 场效应晶体管 迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 441-446
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3145字
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比＞106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋涛	长江大学工程技术学院	9	3	1.0	1.0
2	郑定山	长江大学工程技术学院	9	14	2.0	3.0