斜切衬底自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展

• 作者: 张璋 杨宇 杨杰 王茺 王荣飞
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 斜切衬底 台阶 自组装模板 有序量子点
• 年，卷（期）: 2015,（21）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 8-14
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 6271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.021.002

摘要

在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性,可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并,实现三维量子点在Stranski-Krastanov(S-K)模式生长的调控生长.概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展;介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用.叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素,探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	张璋	云南大学光电信息材料研究所	1	0	0.0	0.0
5	王荣飞	云南大学光电信息材料研究所	2	0	0.0	0.0