过渡层(SiO2,TiO2)对F掺杂SnO2薄膜的光电性能影响研究

• 作者: 任洋 赵高扬 高赟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: FTO薄膜 喷雾热解 过渡层 光电性能
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 425-429
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3067字
• 语种: 中文

摘要

采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含SiO2过渡层与TiO2过渡层的玻璃上制备了F掺杂SnO2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂SnO2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂SnO2膜层的光电性能的影响.结果表明,过渡层种类对F掺杂SnO2薄膜各项性能影响很大,在SiO2薄膜过渡层上制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最小且表面致密,在TiO2过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂SnO2薄膜较为疏松,以SiO2为过渡层制备的F掺杂SnO2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9％,电阻率为5.33×10-4 Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂SnO2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料科学与工程学院	72	349	10.0	14.0
2	高赟	西安理工大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0
3	任洋	西安理工大学现代分析测试中心	4	10	2.0	3.0