Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究

• 作者: 侯德东 刘虹霞 李明 杨晓坤 董国俊 邓书康
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 电子束蒸发 非晶硅 Ge诱导晶化
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 420-424
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2820字
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.