高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究

• 作者: 李健翔 符斯列 蒋联娇 詹吉玉 马娟娟
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 GaN 结构相变 电子结构
• 年，卷（期）: 2015,（22）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 141-144,149
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 3199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.031

摘要

基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值.研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙.其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4 GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6 GPa.此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符斯列	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	25	77	5.0	7.0
2	蒋联娇	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	4	11	3.0	3.0
3	李健翔	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	马娟娟	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	2	4	1.0	2.0
5	詹吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	1	3	1.0	1.0