不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征

• 作者: 吴东旭 李佳 程宏斌 罗晓菊 郑学军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaN纳米线 化学气相沉积 催化剂 衬底
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 389-393
• 页数: 5页
• 分类号: O614.37
• 字数: 2785字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2 O3和GaN的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的GaN纳米线,制备的平躺于衬底的GaN纳米线的直径约为60 nm,长度为10 μm到30 μm之间.垂直于衬底的GaN纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学军	上海理工大学材料科学与工程学院	11	24	1.0	4.0
2	李佳	上海理工大学机械工程学院	35	121	6.0	10.0
3	吴东旭	上海理工大学机械工程学院	3	3	1.0	1.0
4	罗晓菊	上海理工大学材料科学与工程学院	3	5	1.0	2.0
5	程宏斌	上海理工大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0