面向二维半导体电学特性调控的缺陷物理评价新方法

• 来源期刊: 科学通报
• 年，卷（期）: 2015,（19）
• 所属期刊栏目: 科学新闻
• 页码范围: 1853
• 页数: 1页
• 语种: 中文

摘要

吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室孙洪波教授课题组的李贤斌副教授、博士生王丹与美国伦斯特理工学院张绳百教授开展合作,针对二维材料缺陷性能评价困难,推演出真空背景电荷与二维体系中带电缺陷间的库伦作用数理关系,在此基础上提出修正新方法,并成功用于氮化硼等二维半导体中本征缺陷、杂质对材料导电性影响分析.该研究以“Determination of formation and ionization energies of charged defects in twodimensional materials”为题于2015年5月12日在Physical Review Letters上发表.