铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

• 作者: 朱亚彬 柯笑晗 范天伟 陈云琳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 铌酸锂 磁控溅射 光电性质
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 368-373
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3825字
• 语种: 中文

摘要

在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38％,平均透光率比LN衬底提高了1.1％.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱亚彬	北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所	22	48	3.0	5.0
2	陈云琳	北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所	28	87	5.0	8.0
3	范天伟	北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所	5	14	2.0	3.0
4	柯笑晗	北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所	2	7	1.0	2.0