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摘要:
对传统的SOI压阻式压力传感器进行了结构优化。目的是提高灵敏度,以满足在高温环境下大量程压力测量的实际需求。通过力学性能模拟,采用浅凸台结构来提高灵敏度和测量范围。分析并模拟了凸台厚度和形状对灵敏度的影响。得到了适合高温工作的掺杂浓度,压敏电阻的尺寸,金属引线的材料和布局。电阻放置在(σl-σt)最大的区域以保持灵敏度和线性度。采用U形电阻补偿在浅凸台制作过程中的工艺偏差对灵敏度的影响。有限元分析(FEA)表明,优化后的芯片结构可以测量10 MPa范围内的压力,灵敏度高达86.6 mV/(V·MPa),非线性误差在0.1%以下。和其他文献报道的大量程压力传感器相比,浅凸台芯片结构灵敏度和过载能力优异。
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文献信息
篇名 一种大量程SOI压阻式压力传感器
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 大量程 SOI压阻式压力传感器 高温 有限元分析(FEA)
年,卷(期) 2015,(8) 所属期刊栏目 传感器研究
研究方向 页码范围 1125-1130
页数 6页 分类号 TP212
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2015.08.005
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研究主题发展历程
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SOI压阻式压力传感器
高温
有限元分析(FEA)
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相关学者/机构
期刊影响力
传感技术学报
月刊
1004-1699
32-1322/TN
大16开
南京市四牌楼2号东南大学
1988
chi
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