转晶法KDP单晶生长晶面溶质浓度场模拟

• 作者: 周川 宋洁 尹华伟 李明伟 王邦国 胡志涛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 转晶法 KDP单晶 数值模拟 过饱和度
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 342-347,353
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 4546字
• 语种: 中文

摘要

针对转晶法生长KDP单晶过程,进行了流动与物质输运数值模拟,以获得生长过程中晶面溶质浓度(过饱和度)的变化规律.文中展示了晶体表面浓度分布随时间的变化过程;分析了不同转速和晶体尺寸,对晶面时均浓度场的影响.结果表明,转速越快,晶体表面过饱和度越高;晶体尺寸对其表面过饱和度的大小和分布也有较大影响.此外,由于空间上不对称,Z向和Y向晶面过饱和度分布有较大差异.在晶体处于静止或低转速,自然对流可能会对晶体表面的过饱和度分布产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明伟	重庆大学动力工程学院低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室	50	363	10.0	16.0
2	周川	重庆大学动力工程学院低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室	11	97	5.0	9.0
3	胡志涛	重庆大学动力工程学院低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室	10	22	3.0	4.0
4	尹华伟	重庆大学动力工程学院低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室	12	36	4.0	5.0
5	宋洁	重庆大学动力工程学院低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室	11	53	4.0	6.0
6	王邦国	重庆大学动力工程学院	2	6	2.0	2.0