SiNx 掩膜对GaN 外延薄膜性质的影响

• 作者: 任开明 彭晓雷 陈国祥 陈胜发
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 外延 氮化镓 位错 氮化硅掩膜
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 53-55,52
• 页数: 4页
• 字数: 3201字
• 语种: 中文

摘要

研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明：当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上，能够得到最好的晶体质量；SiNx 插入层的生长位置对GaN 薄膜的应变大小基本没有影响；然而，插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈胜发		3	1	1.0	1.0
2	彭晓雷		6	5	1.0	2.0
3	陈国祥		2	0	0.0	0.0
4	任开明		1	0	0.0	0.0