Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响

• 作者: 吕继磊 张玮 林晓棋 江南 满卫东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MPCVD 单晶金刚石 Ar
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 337-341
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2119字
• 语种: 中文

摘要

采用自主研发的5 kW不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响.通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析.结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石的生长速度,并且不损害金刚石的晶体质量.当Ar/H2=30％时,生长速度最高,为35 μm/h.随着Ar/H2比例的进一步增加,单晶金刚石的结晶质量会有所下降,Ar/H2比例过高则会严重破坏单晶金刚石的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江南	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	110	2450	30.0	46.0
2	满卫东	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	45	370	11.0	16.0
3	张玮	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	45	185	8.0	11.0
5	吕继磊	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	6	10	2.0	2.0
6	林晓棋	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	3	19	3.0	3.0