热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟

• 作者: 关小军 张向宇 曾庆凯 潘忠奔 王进
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉单晶硅 有限元 热屏位置 流场 温场 固液界面
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 329-336
• 页数: 8页
• 分类号: O77
• 字数: 3130字
• 语种: 中文

摘要

为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对φ200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料科学与工程学院	86	700	13.0	22.0
5	王进	山东大学材料科学与工程学院	44	175	7.0	11.0
9	曾庆凯	山东交通学院航空学院	6	13	3.0	3.0
10	张向宇	山东大学材料科学与工程学院	6	35	3.0	5.0
14	潘忠奔	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	64	5.0	7.0