Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

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篇名	Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
来源期刊	中国物理快报（英文版）	学科
关键词	@@
年，卷（期）	2015,（12）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	109-112
页数	4页	分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/0256-307X/32/12/127101

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