一维结构二氧化锡的电压-电流特性研究

• 作者: 李小博 范广 马占营 高于涵
• 来源期刊: 技术与市场
• 关键词: 二氧化锡( SnO2 ) 纳米锥阵列 电压-电流( I-V)性能
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 技术研发
• 页码范围: 60-60,63
• 页数: 2页
• 字数: 1347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8554.2015.09.028

摘要

采用易挥发的金属氯化物，通过化学气相沉积法( CVD)在FTO导电玻璃上直接生长一维结构二氧化锡纳米锥阵列，研究一维纳米结构二氧化锡的电压-电流( I-V)特性，探讨结构与性能的本质联系，为高性能的二氧化锡纳米材料太阳能电池的研制提供理论和技术上的支持。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马占营	咸阳师范学院化学与化工学院	52	221	8.0	12.0
2	范广	咸阳师范学院化学与化工学院	66	121	5.0	7.0
3	李小博	咸阳师范学院化学与化工学院	12	18	3.0	4.0
4	高于涵	咸阳师范学院化学与化工学院	16	9	2.0	2.0