乙醇为碳源的低氢常压CVD法制备石墨烯薄膜及其生长机理研究

• 作者: 付志兵 唐永建 易勇 李良 焦兴利 王朝阳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 石墨烯薄膜 化学气相沉积法 乙醇 生长机理
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 409-414
• 页数: 6页
• 分类号: TQ177
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2015.49.03.0409

摘要

以乙醇为碳源，采用低氢常压化学气相沉积（CVD ）法在铜基底上制备石墨烯薄膜，并将其成功转移至目标基底。通过SEM、Raman、TEM、选区电子衍射等分析发现，所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好。通过设计实验，观察和分析了石墨烯薄膜生长过程中主要阶段的形貌特征及生长机理。结果表明，乙醇高温分解出的碳原子在铜基底表面聚集形核，形成的原始晶粒逐渐长大为岛状晶畴直至形成树枝状薄片，并在生长过程中跨越铜基底表面晶界，最后形成完整的石墨烯薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永建	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	281	2334	24.0	31.0
2	王朝阳	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	96	655	14.0	19.0
3	付志兵	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	53	352	10.0	15.0
4	易勇	西南科技大学材料科学与工程学院	53	162	6.0	9.0
5	李良	西南科技大学材料科学与工程学院	2	7	1.0	2.0
9	焦兴利	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	16	3.0	3.0