AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响

• 作者: 王侠
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlN插入层 AlGaN/GaN异质结构 外延 迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 672-675
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1441字
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD制备了带有MN插入层AlGaN/GaN异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试.测试结果表明:具有AlN插入层的外延材料表面非常平整,10 μm × 10 μm范围样品的表面均方根粗糙度RMS仅为0.302 nm,AlGaN势垒层衍射峰更尖锐,材料结构特性良好,大大提高了AlGaN/GaN异质结的2DEG面密度和迁移率,280 K和300 K时沟道电子迁移率分别为4736 cm2/V·s和1785 cm2/V·s,比无MN插入层的传统结构得到的结果分别提高了45.7％和23.4％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王侠	西安科技大学电气与控制工程学院	16	32	3.0	4.0