应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能

• 作者: 尹以安 李述体 章勇 范广涵
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 应变平衡 InGaN/AlGaN超晶格 应变补偿 极化效应 p型欧姆接触电阻 近紫外LED
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.08.011

摘要

通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变，实验生长了相应的样品，并通过双晶衍射（XRD）和拉曼（Raman）光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建，一是替代量子阱中的GaN垒层，二是作p型层的接触层。实验发现，该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露，而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下，其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
3	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
4	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
6	尹以安	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	5	1.0	2.0