基于0.25μm 栅长 GaN HEMT 工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款 Ku 波段 GaN 功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz 频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz 频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE 达39%.该结果表明 GaN MMIC 具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.