Mg掺与GaN晶格匹配的InAlN特性研究

• 作者: 刘力 尹以安 段胜凯 章勇 郑树文
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN 蓝宝石图形衬底 MOCVD Mg掺杂InAlN 晶格匹配 退火温度
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.08.006

摘要

采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度，研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时，获得与GaN晶格匹配的In0.18Al0.82N，此结果下的样品晶体质量最高。同时发现随着Mg掺杂量的增加会使螺位错密度急剧上升，Mg的掺杂对于刃位错有显著影响。综合退火温度对空穴浓度影响，当Mg源的掺杂量为0.248μmol/min，且退火温度为550℃时，与GaN晶格匹配的p型In0.18Al0.82N样品载流子浓度达到最高值，为1.2×1018 cm–3。