Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响

• 作者: 文圆 文思逸 胡飞 邹苑庄
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电化学掺杂 Cu2O薄膜 载流子浓度 光稳定性 载流子寿命
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 3361-3364
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2130字
• 语种: 中文

摘要

采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降.莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当CuCl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 mA/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6％),载流子浓度为3.58×1019 cm-3(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457％).将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L CuCl2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡飞	景德镇陶瓷学院材料学院	28	129	7.0	10.0
2	文思逸	景德镇陶瓷学院材料学院	6	22	2.0	4.0
3	邹苑庄	景德镇陶瓷学院材料学院	3	5	1.0	2.0
4	文圆	景德镇陶瓷学院材料学院	2	4	1.0	2.0