压应变Ge/（001）Si1-xGex空穴散射与迁移率模型?

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 白敏 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗 应变 散射 迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 537-542
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.038501

摘要

应变Ge材料因其载流子迁移率高，且与硅工艺兼容等优点，已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点。本文基于压应变Ge/(001)Si1?xGex价带结构模型，研究了压应变Ge/(001)Si1?xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系，包括空穴离化杂质散射概率、声学声子散射、非极性光学声子散射、总散射概率以及空穴各向同性、各向异性迁移率，获得了有实用价值的相关结论。本文量化模型可为应力致Ge改性半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有重要的理论参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	22	172	8.0	12.0
5	白敏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	2	1.0	1.0