单轴应变硅 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型?

• 作者: 吕懿 周春宇 张鹤鸣 杨晋勇 殷树娟 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴应变Si 微分电容 栅电容
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067305-1-067305-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.067305

摘要

电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础。本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET 的16个微分电容模型，并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较，验证了所建模型的正确性。同时对其中的关键性栅电容Cgg 与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究。结果表明，与体硅器件相比，应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大，随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	吕懿	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	14	99	6.0	9.0
4	殷树娟	北京信息科技大学理学院	38	111	5.0	9.0
5	杨晋勇		10	23	3.0	3.0
6	周春宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	6	2.0	2.0