退火热处理对 ZnGeP2晶体光学性能的影响

• 作者: 吴小娟 赵欣
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷锗锌 坩埚下降法 晶体生长 退火 红外光谱
• 年，卷（期）: 2015,（23）
• 所属期刊栏目: 研究.开发
• 页码范围: 23096-23100,23105
• 页数: 6页
• 分类号: O77|O782
• 字数: 4120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.23.020

摘要

采用坩埚下降法生长出尺寸为?22 mm×30 mm 的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体.分别采用真空 P氛围和真空 ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的 ZnGeP2晶体进行退火处理.利用 X 射线衍射仪、能量分散光谱仪、红外分光光度计,测试了不同退火条件下 ZnGeP2晶体中的元素组成和红外透光谱.结果表明,采用真空 ZnGeP2多晶粉末包裹,580~600℃保温300 h 的退火工艺,能够较好地弥补晶片中 Zn、P 原子缺失,成分更接近 ZnGeP2理想化学计量比.退火后的晶体在近红外波段范围内(0．7~2μm)的透过率有约30％的提高,在2~10μm 范围内的平均透过率接近60％.晶体光学质量显著提高,满足光学器件的制作要求.